本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。标准号：GB/T 43612-2023标准名称：碳化硅晶体材料缺陷图谱英文名称：Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials发布日期：2023-12-28实施日期：2024-07-01起草人：丁雄杰 刘...