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半导体集成电路制造手册
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书名:半导体集成电路制造手册
作者:(美)耿怀玉|译者:赵树武//陈松//赵水林//黄小锋|校注:许学颖//刘海龙
出版日期:2006-12-1
简介:
本书是一本综合性很强的参考书,由60名国际专家编写,并由同等水平的顾问组审校。内容涵盖相关技术的基础知识和现实中的实际应用,以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。涉及制造工艺和辅助设施——从原材料的准备到封装和测试,从基础知识到最新技术。针对最优化设计和最佳制造工艺,提供了以最低成本制造最佳质量芯片方面的必要信息。书中介绍了有关半导体晶圆工艺、MEMS、纳米技术和平面显示器的最新信息,以及最先进的生产和自动化技术。包括良品率管理、材料自动运送系统、晶圆厂和洁净室的设计和运营管理、气体去除和废物处理管理等。如此之广的覆盖面使得本书成为半导体领域内综合性最强的单卷参考书。
目录:
第一部分 半导体基础介绍及基本原材料
第1章 半导体芯片制造综述
1.1 概述
1.2 半导体芯片
1.3 摩尔定律
1.4 芯片的设计
1.5 芯片生产的环境
1.6 芯片的生产
参考文献
第2章 集成电路设计
2.1 概述
2.2 集成电路的类型
2.3 p-n结
2.4 晶体管
2.5 集成电路设计
2.6 集成电路设计的未来走向及问题
参考文献
第3章 半导体制造的硅衬底
3.1 概述
3.2 硅衬底材料的关键特性
3.3 硅晶圆制造基础
3.4 硅衬底材料
3.5 硅衬底制造中的关键问题和挑战
3.6 结论
参考文献
第4章 铜和低κ介质及其可靠性
4.1 概述
4.2 铜互连技术
4.3 低κ介质技术
4.4 铜/低κ介质的可靠性
参考文献
第5章 硅化物形成基础
5.1 概述
5.2 硅上工艺基础
5.3 未来趋势和纳米级硅化物的形成
5.4 结论
参考文献
第6章 等离子工艺控制
6.1 概述
6.2 等离子体的产生和工艺控制的基本原理
......
作者:(美)耿怀玉|译者:赵树武//陈松//赵水林//黄小锋|校注:许学颖//刘海龙
出版日期:2006-12-1
简介:
本书是一本综合性很强的参考书,由60名国际专家编写,并由同等水平的顾问组审校。内容涵盖相关技术的基础知识和现实中的实际应用,以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。涉及制造工艺和辅助设施——从原材料的准备到封装和测试,从基础知识到最新技术。针对最优化设计和最佳制造工艺,提供了以最低成本制造最佳质量芯片方面的必要信息。书中介绍了有关半导体晶圆工艺、MEMS、纳米技术和平面显示器的最新信息,以及最先进的生产和自动化技术。包括良品率管理、材料自动运送系统、晶圆厂和洁净室的设计和运营管理、气体去除和废物处理管理等。如此之广的覆盖面使得本书成为半导体领域内综合性最强的单卷参考书。
目录:
第一部分 半导体基础介绍及基本原材料
第1章 半导体芯片制造综述
1.1 概述
1.2 半导体芯片
1.3 摩尔定律
1.4 芯片的设计
1.5 芯片生产的环境
1.6 芯片的生产
参考文献
第2章 集成电路设计
2.1 概述
2.2 集成电路的类型
2.3 p-n结
2.4 晶体管
2.5 集成电路设计
2.6 集成电路设计的未来走向及问题
参考文献
第3章 半导体制造的硅衬底
3.1 概述
3.2 硅衬底材料的关键特性
3.3 硅晶圆制造基础
3.4 硅衬底材料
3.5 硅衬底制造中的关键问题和挑战
3.6 结论
参考文献
第4章 铜和低κ介质及其可靠性
4.1 概述
4.2 铜互连技术
4.3 低κ介质技术
4.4 铜/低κ介质的可靠性
参考文献
第5章 硅化物形成基础
5.1 概述
5.2 硅上工艺基础
5.3 未来趋势和纳米级硅化物的形成
5.4 结论
参考文献
第6章 等离子工艺控制
6.1 概述
6.2 等离子体的产生和工艺控制的基本原理
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