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GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

  • 英文名称:Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
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资料介绍

本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
  本标准适用于掺硼浓度1014 cm-3~1×1020cm-3,掺磷浓度3×1013 cm-3~1×1020 cm-3,掺砷浓度1019 cm-3~6×1020cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到1012cm-3。
  本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。
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