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GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法

英文名称：Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon
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资料介绍

本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω

GB/T 35310-2017 200mm硅外延片

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