您当前的位置:首页 > GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH) 正式版 > 下载地址2
GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH) 正式版
- 名 称:GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH) 正式版 - 下载地址2
- 类 别:电子信息
- 下载地址:[下载地址2]
- 提 取 码:
- 浏览次数:3
发表评论
加入收藏夹
错误报告
目录| 新闻评论(共有 0 条评论) |
资料介绍
本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则。
本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。
标准号:GB/T 42974-2023
标准名称:半导体集成电路 快闪存储器(FLASH)
英文名称:Semiconductor integrated circuits—Flash memory(FLASH)
发布日期:2023-09-07
实施日期:2024-01-01
引用标准:GB/T 191 GB/T 4937.3 GB/T 4937.4 GB/T 4937.11 GB/T 4937.13 GB/T 4937.14 GB/T 4937.15 GB/T 4937.21 GB/T 4937.23 GB/T 4937.26 GB/T 4937.27 GB/T 9178 GB/T 12750 GB/T 17574-1998 GB/T 35003 GB/T 36477-2018 IEC 60749-6 IEC 60749-8 IEC 60749-9 IEC 60749-24 IEC 60749-28 IEC 60749-36
起草人:罗晓羽、何卫、辛钧、胡洪、苏志强、李东琦、韩旭、龙冬庆、张静、李柏泉、王如松、李敬、李海龙
起草单位:中国电子技术标准化研究院、兆易创新科技集团股份有限公司、合肥美菱物联科技有限公司、存心科技(北京)有限公司、芯天下技术股份有限公司、三旗(惠州)电子科技有限公司
归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。
标准号:GB/T 42974-2023
标准名称:半导体集成电路 快闪存储器(FLASH)
英文名称:Semiconductor integrated circuits—Flash memory(FLASH)
发布日期:2023-09-07
实施日期:2024-01-01
引用标准:GB/T 191 GB/T 4937.3 GB/T 4937.4 GB/T 4937.11 GB/T 4937.13 GB/T 4937.14 GB/T 4937.15 GB/T 4937.21 GB/T 4937.23 GB/T 4937.26 GB/T 4937.27 GB/T 9178 GB/T 12750 GB/T 17574-1998 GB/T 35003 GB/T 36477-2018 IEC 60749-6 IEC 60749-8 IEC 60749-9 IEC 60749-24 IEC 60749-28 IEC 60749-36
起草人:罗晓羽、何卫、辛钧、胡洪、苏志强、李东琦、韩旭、龙冬庆、张静、李柏泉、王如松、李敬、李海龙
起草单位:中国电子技术标准化研究院、兆易创新科技集团股份有限公司、合肥美菱物联科技有限公司、存心科技(北京)有限公司、芯天下技术股份有限公司、三旗(惠州)电子科技有限公司
归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
相关推荐
- GB/T 43063-2023 集成电路 CMOS图像传感器测试方法 正式版
- GB/T 1591-2018 低合金高强度结构钢
- GB∕T 39333-2020 滑动轴承 样件类型质量保证 定义、应用和测试
- GB/T 19447-2013 热交换器用铜及铜合金无缝翅片管
- GB∕T 18998.2-2022 工业用氯化聚氯乙烯(PVC-C)管道系统 第2部分:管材
- GB∕T 41116-2021 焊缝无损检测 衍射时差技术(TOFD) 验收等级
- GB/T 32201-2015 气体流量计
- GB/T 32350.1-2015 轨道交通 绝缘配合 第1部分:基本要求 电工电子设备的电气间隙和爬电距离
- GB/T 12706.1-2008 额定电压1kV(Um=1.2kV)到35kV(Um=40.5kV)挤包绝缘电力电缆及附件 第1部分:额定电压1kV(Um=1.2kV)和3kV(U
- GB/T 34060-2017 蒸汽热量计算方法

