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SJ/T 11818.1-2022 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法
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资料介绍
本文件规定了半导体紫外发射二极管（以下简称器件）辐射度参数测试方法，包括测试条件、测试仪器、测试步骤等。
本文件适用于峰值波长 200 nm~400 nm器件的测试，峰值波长400 nm~420 nm器件的测试方法可参照执行。
本文件适用于峰值波长 200 nm~400 nm器件的测试，峰值波长400 nm~420 nm器件的测试方法可参照执行。
