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SJ/T 11853-2022 正压悬浮区熔单晶硅炉
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资料介绍
本文件规定了正压悬浮区熔单晶硅炉（以下简称“区熔炉”）的产品标记和主要参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、储存。
本文件适用于以高纯多晶硅做原料，采用悬浮区熔法进行半导体级单晶硅生长的单晶硅炉。
本文件适用于以高纯多晶硅做原料，采用悬浮区熔法进行半导体级单晶硅生长的单晶硅炉。
