本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法，即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率，用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时，这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率...